电磁铁变温变场探针台霍尔测试系统HSEM-06PS
HSEM-06PS室温变场探针台霍尔测试系统可以放置4英寸的晶圆样品,采用多孔分区控制气体吸附固定,能提供可变的磁场环境,磁场大小±0.6T ,可安装6个探针臂。外部连接其他电测仪表可在室温下对芯片、晶圆和器件进行非破坏电学测试,比如不同磁场下电流、电压、电阻等电学信号等。
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HSEM-06PS室温变场探针台霍尔测试系统可以放置4英寸的晶圆样品,采用多孔分区控制气体吸附固定,能提供可变的磁场环境,磁场大小±0.6T ,可安装6个探针臂。外部连接其他电测仪表可在室温下对芯片、晶圆和器件进行非破坏电学测试,比如不同磁场下电流、电压、电阻等电学信号等。
HSEM-06PS室温变场探针台霍尔测试系统为4英寸待测样品、器件提供了一个垂直可变磁场环境。外部连接其他电测仪表可在室温下对芯片、晶圆和器件进行非破坏电学测试,比如不同磁场下电流、电压、电阻等电学信号等。
系统特点:
• 样品座可以放置4英寸的晶圆样品,采用多孔分区控制气体吸附固定。(可定制其他尺寸)
• 能提供可变的磁场环境,磁场大小±0.6T
• 可安装6个探针臂
• 探针臂采用磁铁吸附,可任意移动,并且可以三维微调操作方便,扎针精准,四个探针臂的探针可以扎到样品的任意位置。
• 探针臂采用三同轴线缆和三同轴接头,漏电流小,在100fA以内
• CCD放大倍数为180倍,工作距离为100mm
测试材料:
• 热电材料:碲化铋、碲化铅、硅锗合金等
• 光伏材料/太阳能电池:(A硅(单晶硅、非晶硅)、CIGS(铜铟镓硒)、碲化镉、钙钛矿等)
• 有机材料:(OFET、OLED)
• 透明导电金属氧化物TCO:(ITO、AZO、ZnO、IGZO(铟镓锌氧化物)等)
• 半导体材料:SiGe、InAs、SiC、InGaAs、GaN、SiC、InP、ZnO、Ga2O3等
• 二维材料:石墨烯、BN、MoS2等
参数和指标:
标准电阻范围 | 10mΩ-100GΩ |
迁移率 | 10-2-106cm2/VS |
载流子浓度 | 8x102-8x1023/cm3 |
霍尔电压 | 分辨率为 1μV |
电压激励范围 | 100nV ~ 10V |
电流激励范围 | 10pA ~ 100mA |
测试方法 | 范德堡或霍尔巴 |
样品尺寸 | 50mm或100mm |
样品接触方式 | 三维精细位移探针臂扎针,满足 3μm电极扎针 |
样品温度 | 室温 |
样品环境 | 大气,可选氮气氛围 |
磁场 | ±0.6T |
磁场调节方式 | 自动 |
磁铁间隙 | 30mm |
磁场均匀区 | 10mm*10mm*10mm优于5% |